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寬禁帶高電壓功率半導體GAN模塊
產品編號
所屬分類
DC-AC功率硬件模組
產品描述
作為第三代寬禁帶半導體器件,氮化鎵(GaN)正在為電力工程行業帶來變革,它實現了以往硅MOSFET從未達到的高度、效率高和更高功率密度。GaN固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行,同時降低柵極和開關損耗,從而提高、效率。不同于硅,GaN不需要體二極管,因而消除了反向恢復損耗,并進一步提高了效率、減少了開關節點振鈴和EMI。
關鍵詞:
氮化鎵
GaN
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